一、十级无尘布核心技术参数

1. 洁净等级与颗粒控制

• 洁净度：符合ISO Class 3（联邦标准209E Class 10），即每立方米≥0.5μm的颗粒数≤10个。

• 发尘量：＜0.01颗粒/㎡（≥0.3μm，IEST-RP-CC004.3测试）。

• 纤维脱落：激光粒子计数器检测，纤维残留≤0.1根/cm²。

2. 材质与结构

• 基材：

  • 超细聚酯纤维：纤维直径0.1~0.2μm，单丝结构减少脱落。

  • 复合材质：部分型号含导电纤维（碳基或金属镀层）抗静电。

• 编织工艺：

  • 针织：高密度编织（≥200针/英寸），边缘激光封边。

  • 无纺布：水刺工艺，无粘合剂残留。

3. 物理与化学性能

4. 尺寸与包装

• 标准尺寸：4"×4"、6"×6"、9"×9"，卷装宽度可达12"。

• 包装：双层真空密封，每包100~200片，Class 10级洁净袋。

二、在半导体行业的核心应用

1. 晶圆制造关键环节

• 光刻工艺：

  • 清洁光刻机镜头、掩膜版，要求零纤维脱落（如Toray MC-3150型号）。

• CMP抛光后：

  • 擦拭晶圆表面抛光液残留，需高吸液且耐pH 2~12化学腐蚀。

2. 芯片封装与测试

• Die Attach区域：

  • 清洁焊盘氧化物，避免微粒导致虚焊（发尘量＜0.05颗粒/㎡）。

• Wire Bonding：

  • 使用抗静电无尘布（表面电阻≤10^6Ω），防止静电损伤金线。

3. 设备与环境维护

• 真空腔室清洁：

  • 吸附腔体内金属微粒（需通过SEMI F72金属离子检测）。

• AMC（气载分子污染物）控制：

  • 部分型号含活性炭层，吸附酸性气体（如HF、NH₃）。

4. 先进制程（3nm以下）

• EUV光刻机维护：

  • 专用低析出无尘布（NVR＜0.01μg/cm²），避免镜面污染。

• 原子层沉积（ALD）设备：

  • 耐高温型号（150℃短期使用），清洁反应腔室。