一、十级擦拭布核心技术参数

1. 洁净等级与颗粒控制

• 洁净标准：

  • 符合 ISO Class 3（联邦标准209E Class 10），即每立方米≥0.5μm的颗粒数≤10个。

  • 发尘量：＜0.05颗粒/㎡（≥0.3μm，IEST-RP-CC004.3测试）。

  • 纤维脱落：近乎零脱落（激光计数器检测≤0.1根/cm²）。

2. 材质与结构

• 基材：

  • 超细聚酯纤维（Polyester）：纤维直径0.1~0.2μm，单丝结构减少颗粒释放。

  • 可选导电纤维：部分型号含碳基抗静电成分（表面电阻10^4~10^6Ω）。

• 边缘处理：

  • 激光封边或热熔切割，边缘颗粒释放量＜0.01/㎡（≥0.5μm）。

3. 物理与化学性能

4. 尺寸与包装

• 标准尺寸：4"×4"、6"×6"、9"×9"，卷装宽度可达12"。

• 包装：双层真空密封，Class 10级洁净袋包装，每包100~200片。

二、十级擦拭布在半导体行业的应用

1. 核心应用场景

• 光刻工艺：

  • 清洁EUV光刻机镜头、掩膜版（需NVR＜0.01μg/cm²型号，如 Kimberly-Clark KC8）。

• 晶圆制造：

  • CMP抛光后擦拭晶圆表面，吸附抛光液残留（耐pH 2~12化学腐蚀）。

• 芯片封装：

  • 清洁焊盘（Die Attach）和键合区（Wire Bonding），防止微粒导致虚焊。

2. 设备与环境维护

• 真空腔室清洁：

  • 用于刻蚀、沉积设备腔体维护（需抗静电型号，如 KC10 Anti-Static）。

• AMC控制：

  • 部分型号含活性炭层，吸附酸性气体（HF、NH₃等）。

3. 先进制程（3nm以下）

• EUV光学元件维护：

  • 专用超低析出型号（如 KC Ultra™），避免镜面污染。

• 原子层沉积（ALD）：

  • 耐高温短期使用（≤150℃），清洁反应腔室。